Ikw75n65es5 Infineon IGBT 75A 650V Elektronische Komponente

Basisinformation

Modell Nr.	IKW75N65ES5
Zertifizierung	RoHS
Kapselungsstruktur	Chip-Transistor
Installation	Plug-in-Triode
Funktion	Power Triode
Material	Kunststoff und Kupfer
detaillierte Beschreibung	Bipolartransistor mit isoliertem Gate
Produktnummer	Ikw75n65es5
Maximaler Spannungspegel	650,0 V
Kategorie	Igbts - Single
Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall	650V
Samacsys-Beschreibung	IGBT-Transistoren Trenchstop
Befestigungsart	Durchgangsloch
Transportpaket	Rohr
Spezifikation	Kunststoff und Kupfer
Warenzeichen	CHN
Herkunft	China

Produktbeschreibung

Produkteigenschaften

•Sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VCEsat • Erstklassiger Kompromiss zwischen Leitung und Schaltglanz • 650 V Durchbruchspannung • Niedrige Gate-Ladung QG • Maximale Übergangstemperatur 175 °C • Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen • Pb-freie Bleibeschichtung

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