75A/1200V E75 IGBT-Modul ersetzt Infineon Fp75r12kt4

Basisinformation

Modell Nr.	WGL75P120E75
Modell	Wgl75p120e75
Chargennummer	2021+
Marke	Usw
Schlüsselmaterial	Sic
Transportpaket	Karton
Spezifikation	L122,5*B62,5mm
Herkunft	Cn
HS-Code	8504409190

Produktbeschreibung

Produktfoto: Produktparameter:

Parameter	Symbol	Bedingungen	Wert	Einheit
Kollektor-Emitter-Spannung	VCES	VGE=0V, IC=1mA, Tvj=25°C	1200	V
Kontinuierlicher Kollektorstrom	ICHC	Tc=80 °C, Tvjmax=175 °C	75	A
Spitzenkollektorstrom	ICHCRM	tp=1ms	150	A
Gate-Emitter-Spannung	VGES	Tvj=25°C	±20	V
Gesamtverlustleistung (IGBT-Wechselrichter)	Pbis	TC=25°C Tvjmax=175 °C	476	W

 

Merkmale

• Gehäuse mit niedriger Induktivität
• Geringe Schaltverluste
• Integrierter NTC-Temperatursensor
• Isolierte Grundplatte
• Einschließlich antiparalleler FWD mit schneller und sanfter Wiederherstellung
• Hohe Kurzschlussfähigkeit (10us)
• Modulstruktur mit geringer Induktivität
• Maximale Sperrschichttemperatur 175 °C

Vorteile

• Höherer Wechselrichter-Ausgangsstrom bei gleicher Baugröße
• Reduzierte Systemkosten durch Vereinfachung der Wechselrichtersysteme
• Einfache und äußerst zuverlässige Montage
• Hohe Verbindungszuverlässigkeit
• Geeignet für Einpress- und Lötverfahren

Anwendungen

• Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge (CAV)
• Motorsteuerung und Antriebe
• Lösungen für Solarenergiesysteme
• Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
• Sanft schaltendes Schweißgerät
• AC- und DC-Servoantriebsverstärker

Das E75-IGBT-Modul ist eines der beliebtesten IGBT-Pakete weltweit und wird in vielen verschiedenen Anwendungen eingesetzt, z. B. in Allzweckantrieben; Nutz-, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeuge sowie eBus; Solar; Wind; Traktion; UPS und schließlich Übertragung und Verteilung. In der neuesten Modulgeneration ist es nun möglich, den Modulstrom auf 150 A zu erhöhen. Möglich wird dies durch die neue Technologie, die eine höhere Leistungsdichte und geringere Stücklistenkosten ermöglicht. Schaltplan

Paketzeichnung

Produkte der E75-Serie:

Modell	Vces(V)	Ic(T=80)(A)	VCE(sat) Tj=125°C	Äon+Eof(Tj=125)(mj)	Rthjc(KW)
WGL50F120E75	1200	50	1,85	11.88	0,41
WGL75F120E75	1200	75	1,85	15.96	0,33
WGL100F120E75	1200	100	1,85	17.48	0,20
WGL150F120E75	1200	150	1,85	34.2	0,17

 

FAQ:1.Warum ist der IGBT für eine Überlastung von 175 °C ausgelegt?
Der CETC IGBT ist für den Betrieb bei einer Dauertemperatur von 175 °C ausgelegt. Die Überlastbegrenzung wird durch das Paket vorgegeben. Die meisten Anwendungen sind mit einem Überlastprofil ausgelegt und hier ist der IGBT die perfekte Lösung. Der CETC IGBT bietet die geringsten statischen Verluste.

 

2.Wie gehe ich mit der im IGBT-Datenblatt angegebenen hohen Gate-Ladung um?

Die im Datenblatt angegebene Gate-Ladung gilt für einen Betrieb mit VGE von ± 20 V. Die meisten Kunden verwenden VGE im Bereich von +5,4 V bis +7 V. Hier ist die Gate-Ladung deutlich geringer und bei diesem Wert können typische Schaltfrequenzen erreicht werden mit Standardantrieben angesprochen werden.

3.Technischer Support

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